基于半导体的辐射探测器已经有半个多世纪的历史，最初的产品基于锂漂移的锗Ge（Li）和锂漂移的硅Si（Li）。Ge（Li）后来被更先进的高纯锗（HPGe）探测器取代。

锗半导体辐射探测器需要低温冷却。为了支持各种计数几何形状，从标准LN2系统到高级机电低温冷却器（如ICS™）的各种冷却选项。

采用这些技术的 HPGe辐射探测器在全球范围内被广泛应用于核结构物理等各种应用，以防止在世界上最大的商业港口贩运非法核材料。

低温恒温器、杜瓦瓶、低温恒温器/杜瓦瓶组件和电冷却

所有HPGe辐射探测器都需要冷却到低温，才能正常运行。这通常使用液态制冷剂，最常见的是液氮（LN2）或使用电冷却器来完成。 ICS（Integrated Cryocooling Systems集成低温冷却系统）使用经行业验证的斯特林制冷器，比脉冲管设计更高效、更可靠。提高效率意味着改善冷却性能，同时减少产生的热量并降低功耗。冷却器平均无故障时间（MTTF）超过200,000小时。 提供全套低温冷却解决方案，以满足客户应用的多样化要求。这些解决方案包括静态和循环LN2操作，以及各种电低温冷却器。 有关每种解决方案的详细信息，请从下表中进行选择。 电制冷选件    斯特林压缩机 用于PopTop和Streamline型HPGe辐射探测器的集成电冷却系统，采用最新一代的制冷技术，可提供无LN2操作。

除前端电子设备外，密封的HV滤波器和电荷灵敏的混合前置放大器电路都是位于PopTop封装内辐射探测器组件的后面。它们位于真空室外，处于室温下。



HV滤波器的长时间常数可确保将电压逐渐施加到辐射探测器上。这可以保护FET免受电压尖峰的影响。冷态时，HPGe辐射探测器都可以接通全偏置电压，而不会有损坏FET的风险。
对于高计数率（>75 kcps）下的同轴辐射探测器，反馈电路用结型晶体管取代反馈电阻，当输入FET栅极电压超过某一阈值电压时，将接通结型晶体管。这将输入FET栅极电压重置为零。这种类型的前置放大器称为晶体管复位前置放大器（TRP）。对于小型辐射探测器，电子设备的最佳分辨率低于50 keV，反馈电路包含一个LED，它通过类似于TRP的机制使用光（非电子开关）将输入FET栅极的电压重置为零。这种前置放大器[可通过特殊订单订购的脉冲光学反馈（POF）]可实现超低噪声性能，因为反馈电阻无穷大（与电阻反馈相反），并且输入FET栅极上的电容不会因结型晶体管（与TRP一样）的集电极对地电容的增加而增加。高反馈电阻和低电容是降低噪声性能的关键。

RA-GEM P型同轴高纯锗（HPGe）辐射探测器

RA-GEM辐射探测器是一款P型同轴HPGe探测器，适用于~40 keV及以上典型能量范围的γ能谱测量。

RA-GEM系列探测器特征：

• 效率达150％，还可应要求提高。
• 出色的能量分辨率和峰值对称性。
• SMART偏压选件。
• 恶劣环境（-HE）选件。
• 低本底碳纤维端盖选件。
• 外加前置放大器选件适用于超高计数率应用。
• 广泛的配置灵活性，PopTop、Streamline和机械冷却选项。

• 斯特林制冷器

  

   

   

  1. 产品简介

  该机型采用静压气体轴承支撑技术消除活塞磨损，设计寿命可达 12 万小时以上； 采用高效压缩机技术和高效回热技术，COP 大于 6%@77K；通过单个直线压缩机驱 动，采用气体轴承结构消除支承部件，对制冷机结构进行紧凑性设计，制冷冷量重量 比大于 4.2W/kg@80K；采用多臂板簧的自适应被动减振技术和高效散热技术，产品 满足军标环境适应性要求。

  2. 产品功能

  为各种类型的器件和系统提供 35K-240K 低温环境。

  3. 产品特点

   

  体积高、重量小、重量轻，寿命长。目前国际上冷量最大、效率最高、体积最小、 重量最轻和寿命最长的小型斯特林制冷机。

  4. 应用领域

  高温超导接收前端、低温斯特林冰箱、微型制氮机、制氧机、冷光学滤光片、锗 探测器、阿尔法磁谱仪、高光谱成像仪、射电望远镜阵列、通讯基站等领域的冷却。